Titre :	Dispositifs de l'électronique de puissance. Vol1
Type de document :	texte imprimé
Auteurs :	Jacques Arnould, Auteur ; Pierre Merle, Auteur
Editeur :	Paris : Hermes Science Publications
Année de publication :	1992
Collection :	Traité des nouvelles technologies
Sous-collection :	Electronique
Importance :	488 p.
Présentation :	ill.
Format :	24 cm.
ISBN/ISSN/EAN :	978-2-86601-306-6
Note générale :	Bibliogr.- Index
Langues :	Français (fre)
Mots-clés :	Composants électroniques Électronique de puissance
Index. décimale :	621.38 Dispositifs électroniques. Tubes à électrons. photocellules. Accélérateur de particules. Tubes à rayons X
Résumé :
Note de contenu :	Sommaire: *Chap.1: Généralités - Historique -Electronique de puissance. Définitions et domaines d'application ... *Chap.2: La charge, le métal et le silicium -Introduction -Mécanismes de conduction dans les semi-conducteurs ... *Chap.3: Diodes -Généralités -Tenue en tension statique, mécanismes physiques mis en jeu ... *Chap.4: Transistors à effet de champ à grille isolée unipolaire -Généralités sur les transistors à effet de champ -Effet de champ ...

Dispositifs de l'électronique de puissance. Vol1 [texte imprimé] / Jacques Arnould, Auteur ; Pierre Merle, Auteur . - Paris : Hermes Science Publications, 1992 . - 488 p. : ill. ; 24 cm.. - (Traité des nouvelles technologies. Electronique) .
ISBN : 978-2-86601-306-6
Bibliogr.- Index
Langues : Français (fre)

Mots-clés :	Composants électroniques Électronique de puissance
Index. décimale :	621.38 Dispositifs électroniques. Tubes à électrons. photocellules. Accélérateur de particules. Tubes à rayons X
Résumé :
Note de contenu :	Sommaire: *Chap.1: Généralités - Historique -Electronique de puissance. Définitions et domaines d'application ... *Chap.2: La charge, le métal et le silicium -Introduction -Mécanismes de conduction dans les semi-conducteurs ... *Chap.3: Diodes -Généralités -Tenue en tension statique, mécanismes physiques mis en jeu ... *Chap.4: Transistors à effet de champ à grille isolée unipolaire -Généralités sur les transistors à effet de champ -Effet de champ ...